Развитие наноэлектроники – технологии создания электронных устройств нанометрового размера – невозможно без использования новых материалов, в которых атомы должны быть размещены нужным нам образом. Одним из лучших методов изучения строения материала является «просвечивание» с помощью когерентного (лазерного) излучения. Однако длина волны излучения оптических лазеров слишком велика для «поатомного» изучения материала. Решить эту проблему может рентгеновский лазер. Рентгеновский лазер на свободных электронах (РЛСЭ) – уникальный инструмент для таких целей благодаря рекордной яркости излучения, фемтосекундной длительности импульсов и практически стопроцентной когерентности излучения. В лекции будут обсуждаться: связи между составом, структурой и свойствами материалов, основные параметры излучения РЛСЭ, общие представления о когерентном рассеянии и дифракции рентгеновских лучей, о “рентгеновском кино”, о методе “pumpandprobe”.